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印度研发新型分子前体可用于制造硅藻土超级太

作者:德国赌场 发布时间:2020-11-23 02:03 点击数:

  制造了一种超级太阳能电池,据说其效率是有记录以来最高的。他们依靠低温工艺制造该设备。

  印度SRM科学技术研究院(SRMIST)的科学家开发了一种新的分子前驱体,该分子可用于基于相同化合物的硅藻土薄膜中,用于薄膜太阳能电池。

  他们在最近发表在《太阳能》上的“低温下全溶液处理功能层的超导型CZTS太阳能电池”中展示了他们的发现。用该前驱体构建了基于钛氧化物一维纳米结构的酯酸/硫化镉异质结的超导型太阳能电池。

  在250℃的温和退火温度下,不硫化就制得了镁橄榄石膜。然后将其用于异质结电池中,该电池具有氟掺杂的氧化锡,二氧化钛,硫化镉,硅藻土和铝的层。

  科学家解释说:“超态配置能够克服重新组合损失,也可以提供额外的优势,允许更容易实现光捕获,改进后的背触点设计,或实现串联器件结构。”

  低温制造工艺可以防止硫化镉的扩散和掺杂氟的氧化锡层的降解,同时使低成本制造成为可能。该电池的转换效率达到1.04%,科学家们说,这是现有文献中此类设备的最高水平之一。

  kesterite层是基于研究人员已经开发的一种前体溶液。将氯化铜、二水合醋酸锌、二水合氯化锡和硫代乙酰胺溶于10 ml 2-甲氧基乙醇中,搅拌10分钟,得到黄色透明溶液。采用镀钼钠石灰玻璃作为酯膜的基材。

  科学家们说:“使用前驱溶液通过浸涂的方法制备了CZTS薄膜,然后在130℃干燥,然后在500℃氩气中退火30分钟。”

  然后在环境条件下将溶液存放在一个封闭的玻璃瓶中观察其稳定性。紫外可见光谱显示其吸光度性质无明显变化。通过x射线衍射(XRD)拍摄的图像也显示得到的薄膜均匀光滑,并且kesterite的颗粒覆盖了整个基底。薄膜在一个简单的异质结器件中进行测试,器件由玻璃、钼、氯酯、硫化镉和铝制成,顶部电极采用无真空层压导电带。

  研究人员说:“所有的结果,包括霍尔效应的测量以及异质结器件的特性,都证实了器件质量优良的CZTS吸收层的形成,这将引导未来的工作,以制造最佳的高效率薄膜太阳能电池。”

  他们对该设备进行了霍尔效应测量,并声称该薄膜的p型半导体特性显示了优越的移动性值。他们还研究了霍尔系数,该系数描述了电流通过导电材料时的变化情况。研究人员说,电池显示了很有前途的价值,尤其是短路电流(ISC)和开路电压(VOC)。

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